电子级乙炔的技术指标要求根据应用场景可分为基础级与超高纯级，具体标准如下：

  ‌一、核心纯度要求‌

  基础电子级（99.99%，4N级）‌

  乙炔体积分数≥99.99%，满足焊接、原子吸收光谱分析等需求。

  超高纯级（99.999%，5N级）‌

  用于半导体光刻碳掩膜沉积、非晶硅生长等先进制程，纯度需达99.999%以上。

  ‌二、关键杂质限值‌

  注‌：半导体级（5N）需额外控制金属离子（Fe、Na≤1 ppb）及颗粒物（≥0.1μm ≤0.1个/mL）。

  ‌三、应用场景与指标关联性‌

  光刻工艺（等离子沉积）‌

  用于沉积碳掩膜层，磷化氢超标会导致半导体器件漏电，需严格限值≤0.05 ppm。

  分析仪器燃气‌

  作为原子吸收光谱燃气时，水分≤3 ppm可避免火焰不稳定。

  稀有金属提炼‌

  高纯乙炔参与还原反应，总碳杂质≤0.1 ppm防止产物污染。

  ‌四、包装与安全规范‌

  包装‌：专用无溶剂钢瓶（多孔填料结构），内壁电解抛光钝化处理。

  储运‌：避光储存温度≤30℃，泄漏浓度报警阈值设定为0.5%（一级警戒）。

  安全警示‌：爆炸极限2.3%-82%，操作区需配备乙炔浓度实时监测仪。

  ‌五、标准依据‌

  纯度与杂质‌：执行T/CCGA 30008-2025《电子级乙炔》。

  痕量分析‌：参考SEMI标准（金属离子检测采用ICP-MS）。

  电子级乙炔的砷化氢（AsH₃）残留需通过专属吸附模块去除，工业乙炔原料须经五级纯化（吸附-解吸-压缩-干燥-过滤）方可达标。